SiC（炭化ケイ素）はSi（シリコン）に比べて，絶縁破壊電界が10倍大きく，その物性的な特徴からパワー半導体デバイスの消費電力を大幅に低減できる半導体として注目されています．

　一方で，SiCはpn接合を形成する工程に３日間程度が必要で，プロセスコストが高くなるという課題もあります．

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　我々は，レーザーを用いて短時間（約半日）でSiCにp型不純物をドーピングする技術の開発を行っています．